发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2002年
6期
554-558
,共5页
李树玮%缪国庆%蒋红%元光%宋航%金亿鑫%小池一步%矢野满明
李樹瑋%繆國慶%蔣紅%元光%宋航%金億鑫%小池一步%矢野滿明
리수위%무국경%장홍%원광%송항%금억흠%소지일보%시야만명
垂直堆垛的InAs量子点%分子束外延(MBE)%深能级瞬态谱%场效应管(FET)%非挥发存储器
垂直堆垛的InAs量子點%分子束外延(MBE)%深能級瞬態譜%場效應管(FET)%非揮髮存儲器
수직퇴타적InAs양자점%분자속외연(MBE)%심능급순태보%장효응관(FET)%비휘발존저기
用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性.用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测.所用Al0.5Ga0.5As势垒外延层,对镶嵌在其中的InAs量子点有很强的量子限制作用,并产生强量子限制效应,可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作"深能级"的热激发来研究,这样可用DLTS方法进行测量.在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中,由充电和放电过程的IIDS-VGS曲线可以看到阈值电压有非常大的移动,这样便产生存储效应.
用MBE設備以Stranski-Krastanov生長方式外延生長瞭5箇週期垂直堆垛的InAs量子點,在生長過程中通過對量子點形狀、呎吋的控製來提高垂直堆垛InAs量子點質量和均勻性.用原子力顯微鏡(AFM)進行錶麵形貌的錶徵,併利用光緻髮光(PL)和深能級瞬態譜(DLTS)對InAs量子點進行觀測.所用Al0.5Ga0.5As勢壘外延層,對鑲嵌在其中的InAs量子點有很彊的量子限製作用,併產生彊量子限製效應,可以把InAs量子點的電子和空穴能級的熱激髮噹作"深能級"的熱激髮來研究,這樣可用DLTS方法進行測量.在垂直堆垛的InAs量子點的HFET器件中,由充電和放電過程的IIDS-VGS麯線可以看到閾值電壓有非常大的移動,這樣便產生存儲效應.
용MBE설비이Stranski-Krastanov생장방식외연생장료5개주기수직퇴타적InAs양자점,재생장과정중통과대양자점형상、척촌적공제래제고수직퇴타InAs양자점질량화균균성.용원자력현미경(AFM)진행표면형모적표정,병이용광치발광(PL)화심능급순태보(DLTS)대InAs양자점진행관측.소용Al0.5Ga0.5As세루외연층,대양감재기중적InAs양자점유흔강적양자한제작용,병산생강양자한제효응,가이파InAs양자점적전자화공혈능급적열격발당작"심능급"적열격발래연구,저양가용DLTS방법진행측량.재수직퇴타적InAs양자점적HFET기건중,유충전화방전과정적IIDS-VGS곡선가이간도역치전압유비상대적이동,저양편산생존저효응.
