核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2002年
2期
158-161,116
,共5页
杨海亮%李国政%姜景和%贺朝会%唐本奇
楊海亮%李國政%薑景和%賀朝會%唐本奇
양해량%리국정%강경화%하조회%당본기
质子%14MeV中子%单粒子效应%等效性
質子%14MeV中子%單粒子效應%等效性
질자%14MeV중자%단입자효응%등효성
通过实验方法确定了高能质子和中子引起的单粒子效应等效关系.实验中采用金箔散射法降低了质子束流强度,并利用热释光剂量计(TLD)进行质子注量的监测,采用新研制的存储器长线实时监测系统,进行了64K位至4M位的SRAM器件单粒子效应实验,确定了两种粒子引起单粒子效应等效关系.
通過實驗方法確定瞭高能質子和中子引起的單粒子效應等效關繫.實驗中採用金箔散射法降低瞭質子束流彊度,併利用熱釋光劑量計(TLD)進行質子註量的鑑測,採用新研製的存儲器長線實時鑑測繫統,進行瞭64K位至4M位的SRAM器件單粒子效應實驗,確定瞭兩種粒子引起單粒子效應等效關繫.
통과실험방법학정료고능질자화중자인기적단입자효응등효관계.실험중채용금박산사법강저료질자속류강도,병이용열석광제량계(TLD)진행질자주량적감측,채용신연제적존저기장선실시감측계통,진행료64K위지4M위적SRAM기건단입자효응실험,학정료량충입자인기단입자효응등효관계.
