电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2002年
2期
16-18
,共3页
蔡伟%江涛%谭小球%魏群%李燕
蔡偉%江濤%譚小毬%魏群%李燕
채위%강도%담소구%위군%리연
硅灰石%粘土%二氧化硅%低温烧结%介电常数
硅灰石%粘土%二氧化硅%低溫燒結%介電常數
규회석%점토%이양화규%저온소결%개전상수
通过对实验试样的差热分析及XRD分析,得知烧结过程中液相的存在可促使氧化钙与氧化硅形成硅灰石相.硅灰石瓷配方中SiO2过量(w≤10%)及粘土的w≤10%时能有效地降低烧成温度(1 170 ～1 230℃).研制瓷料介电性能:εr = 7.0～9.0,tgδ=(1.0～5.0)×10-4,ρv≥(2.0～5.0)×1013Ω@cm,αε为(0±30)×10-6℃-1.
通過對實驗試樣的差熱分析及XRD分析,得知燒結過程中液相的存在可促使氧化鈣與氧化硅形成硅灰石相.硅灰石瓷配方中SiO2過量(w≤10%)及粘土的w≤10%時能有效地降低燒成溫度(1 170 ～1 230℃).研製瓷料介電性能:εr = 7.0～9.0,tgδ=(1.0～5.0)×10-4,ρv≥(2.0～5.0)×1013Ω@cm,αε為(0±30)×10-6℃-1.
통과대실험시양적차열분석급XRD분석,득지소결과정중액상적존재가촉사양화개여양화규형성규회석상.규회석자배방중SiO2과량(w≤10%)급점토적w≤10%시능유효지강저소성온도(1 170 ～1 230℃).연제자료개전성능:εr = 7.0～9.0,tgδ=(1.0～5.0)×10-4,ρv≥(2.0～5.0)×1013Ω@cm,αε위(0±30)×10-6℃-1.
