RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料
RF-MBE생장AlGaN/GaN겁화감응이유전자기재료
AIGaN/GaN Polarization-Induced Two-Dimensional Electron Gas Materials Grown by Radio-Frequency Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2001年 11期 1425-1428 ,共4页

    孙殿照%胡国新%王晓亮%刘宏新%刘成海%曾一平%李晋闽%林兰英

    손전조%호국신%왕효량%류굉신%류성해%증일평%리진민%림란영

    RF-MBE%二维电子气%HFET%AlGaN/GaN RF-MBE%二維電子氣%HFET%AlGaN/GaN
    RF-MBE%이유전자기%HFET%AlGaN/GaN
    用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,相应的电子迁移率为177cm2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6′;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm2/(V·s),相应的电子气面密度为7.6×1012cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm),截止频率达13GHz(栅长0.5μm).
    용사빈등리자체보조분자속외연기술(RF-MBE)재C면람보석츤저상외연료고질량적GaN막이급AlGaN/GaN겁화감응이유전자기재료.소외연적GaN막실온배경전자농도위2×1017cm-a,상응적전자천이솔위177cm2/(V·s);GaN(0002)X사선연사요파곡선반고관(FWHM)위6′;AlGaN/GaN겁화감응이유전자기재료적실온전자천이솔위730cm2/(V·s),상응적전자기면밀도위7.6×1012cm-2;용차이유전자기재료제작적이질결장효응정체관(HFET)실온과도체50mS/mm(책장1μm),절지빈솔체13GHz(책장0.5μm).
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