半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
6期
746-750
,共5页
江风益%姚冬敏%莫春兰%王立%李鹏%熊传兵%彭学新
江風益%姚鼕敏%莫春蘭%王立%李鵬%熊傳兵%彭學新
강풍익%요동민%막춘란%왕립%리붕%웅전병%팽학신
GaN%X射线光电子能谱%RBS/沟道%光致发光%Hall测量
GaN%X射線光電子能譜%RBS/溝道%光緻髮光%Hall測量
GaN%X사선광전자능보%RBS/구도%광치발광%Hall측량
用X射线光电子能谱对MOCVD生长的未故意掺杂GaN单晶薄膜进行N、Ga组份测试,同时用RBS/Channeling、Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究.结果表明N含量相对低的GaN薄膜,其背景载流子浓度较高,离子束背散射沟道最小产额比χmin较小,带边辐射复合跃迁较强.在N含量相对低的GaN薄膜中易形成N空位,N空位是导致未故意掺杂的GaN单晶薄膜呈现n型电导的主要原因;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献,但它能弛豫GaN与Al2O3之间的晶格失配,改善生长的GaN薄膜的结晶品质.
用X射線光電子能譜對MOCVD生長的未故意摻雜GaN單晶薄膜進行N、Ga組份測試,同時用RBS/Channeling、Hall測量和光緻髮光技術對樣品進行結晶品質及光電性能研究.結果錶明N含量相對低的GaN薄膜,其揹景載流子濃度較高,離子束揹散射溝道最小產額比χmin較小,帶邊輻射複閤躍遷較彊.在N含量相對低的GaN薄膜中易形成N空位,N空位是導緻未故意摻雜的GaN單晶薄膜呈現n型電導的主要原因;N空位本身對離子束溝道產額沒有貢獻,但它能弛豫GaN與Al2O3之間的晶格失配,改善生長的GaN薄膜的結晶品質.
용X사선광전자능보대MOCVD생장적미고의참잡GaN단정박막진행N、Ga조빈측시,동시용RBS/Channeling、Hall측량화광치발광기술대양품진행결정품질급광전성능연구.결과표명N함량상대저적GaN박막,기배경재류자농도교고,리자속배산사구도최소산액비χmin교소,대변복사복합약천교강.재N함량상대저적GaN박막중역형성N공위,N공위시도치미고의참잡적GaN단정박막정현n형전도적주요원인;N공위본신대리자속구도산액몰유공헌,단타능이예GaN여Al2O3지간적정격실배,개선생장적GaN박막적결정품질.
