半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
8期
962-966
,共5页
王姝睿%刘忠立%李国花%于芳%刘焕章
王姝睿%劉忠立%李國花%于芳%劉煥章
왕주예%류충립%리국화%우방%류환장
碳化硅%肖特基势垒二极管%6H-SiC
碳化硅%肖特基勢壘二極管%6H-SiC
탄화규%초특기세루이겁관%6H-SiC
在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的整流特性．反向击穿电压约为400V，室温下，反向电压VR＝200V时，反向漏电流JR低于1×10－4A／cm2．采用Ne离子注入形成非晶层，作为边缘终端，二极管的击穿电压增加到约为800V．
在N型6H-SiC外延片上，通過熱蒸髮，製作Ti／6H-SiC肖特基勢壘二極管(SBD)．通過化學氣相澱積，進行同質外延生長，詳細測量併分析瞭肖特基二極管的電學特性，該肖特基二極管具有較好的整流特性．反嚮擊穿電壓約為400V，室溫下，反嚮電壓VR＝200V時，反嚮漏電流JR低于1×10－4A／cm2．採用Ne離子註入形成非晶層，作為邊緣終耑，二極管的擊穿電壓增加到約為800V．
재N형6H-SiC외연편상，통과열증발，제작Ti／6H-SiC초특기세루이겁관(SBD)．통과화학기상정적，진행동질외연생장，상세측량병분석료초특기이겁관적전학특성，해초특기이겁관구유교호적정류특성．반향격천전압약위400V，실온하，반향전압VR＝200V시，반향루전류JR저우1×10－4A／cm2．채용Ne리자주입형성비정층，작위변연종단，이겁관적격천전압증가도약위800V．
