原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2003年
4期
489-492
,共4页
化学吸附%超级原胞%钝化%低维密勒指数表面
化學吸附%超級原胞%鈍化%低維密勒指數錶麵
화학흡부%초급원포%둔화%저유밀륵지수표면
用TB-LMTO方法研究单层的Au原子在理想的Si(100)表面的化学吸附.计算了Au原子在不同位置的吸附能,吸附体系与清洁Si(100)表面的层投影态密度, 以及电子转移情况.结果表明, Au原子在吸附面上方的A位(顶位)吸附最稳定, Au钝化Si(100)表面可以取得明显的钝化效果, 这一结论与实验事实相符合.
用TB-LMTO方法研究單層的Au原子在理想的Si(100)錶麵的化學吸附.計算瞭Au原子在不同位置的吸附能,吸附體繫與清潔Si(100)錶麵的層投影態密度, 以及電子轉移情況.結果錶明, Au原子在吸附麵上方的A位(頂位)吸附最穩定, Au鈍化Si(100)錶麵可以取得明顯的鈍化效果, 這一結論與實驗事實相符閤.
용TB-LMTO방법연구단층적Au원자재이상적Si(100)표면적화학흡부.계산료Au원자재불동위치적흡부능,흡부체계여청길Si(100)표면적층투영태밀도, 이급전자전이정황.결과표명, Au원자재흡부면상방적A위(정위)흡부최은정, Au둔화Si(100)표면가이취득명현적둔화효과, 저일결론여실험사실상부합.
