光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2003年
7期
672-674
,共3页
连洁%王青圃%程兴奎%李静%姜军
連潔%王青圃%程興奎%李靜%薑軍
련길%왕청포%정흥규%리정%강군
能带结构%反射和干涉%电子波%量子阱红外探测器(QWIP)
能帶結構%反射和榦涉%電子波%量子阱紅外探測器(QWIP)
능대결구%반사화간섭%전자파%양자정홍외탐측기(QWIP)
利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应,计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构,并对其适用性进行了分析和讨论.通过与K-P模型比较发现,本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4 nm)的量子阱结构的电子态适合.在垒宽和阱宽不变条件下,用两种方法计算得到的AlGaAs/GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同.结果说明,在较宽的范围内,本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的.
利用電子波在阱與壘的界麵上的反射及榦涉效應,計算瞭量子阱紅外探測器(QWIP)的能帶結構,併對其適用性進行瞭分析和討論.通過與K-P模型比較髮現,本方法對計算較寬勢阱(阱寬大于4 nm)的量子阱結構的電子態適閤.在壘寬和阱寬不變條件下,用兩種方法計算得到的AlGaAs/GaAs量子阱材料中Al組分x與吸收峰值波長λp的關繫麯線基本相同.結果說明,在較寬的範圍內,本方法對QWIP能帶結構的計算是適用且簡便的.
이용전자파재정여루적계면상적반사급간섭효응,계산료양자정홍외탐측기(QWIP)적능대결구,병대기괄용성진행료분석화토론.통과여K-P모형비교발현,본방법대계산교관세정(정관대우4 nm)적양자정결구적전자태괄합.재루관화정관불변조건하,용량충방법계산득도적AlGaAs/GaAs양자정재료중Al조분x여흡수봉치파장λp적관계곡선기본상동.결과설명,재교관적범위내,본방법대QWIP능대결구적계산시괄용차간편적.
