无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2005年
4期
971-975
,共5页
卢焕明%叶志镇%黄靖云%汪雷%赵炳辉
盧煥明%葉誌鎮%黃靖雲%汪雷%趙炳輝
로환명%협지진%황정운%왕뢰%조병휘
LiNbO3薄膜%透射电子显微镜%PLD技术
LiNbO3薄膜%透射電子顯微鏡%PLD技術
LiNbO3박막%투사전자현미경%PLD기술
利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体.本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.
利用透射電子顯微鏡及X射線衍射,研究脈遲激光沉積技術(PLD)在Si(001)襯底上生長LiNbO3薄膜的微結構.結果錶明,在600℃的襯底溫度、30Pa的氧分壓條件下,在硅片錶麵5nm厚的非晶氧化層上生長的薄膜,為c軸擇優取嚮的單相LiNbO3晶體.本文還討論瞭穫得c軸擇優取嚮LiNbO3薄膜的生長機理.
이용투사전자현미경급X사선연사,연구맥충격광침적기술(PLD)재Si(001)츤저상생장LiNbO3박막적미결구.결과표명,재600℃적츤저온도、30Pa적양분압조건하,재규편표면5nm후적비정양화층상생장적박막,위c축택우취향적단상LiNbO3정체.본문환토론료획득c축택우취향LiNbO3박막적생장궤리.
