半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
136-139
,共4页
李献杰%蔡道民%赵永林%王全树%周州%曾庆明
李獻傑%蔡道民%趙永林%王全樹%週州%曾慶明
리헌걸%채도민%조영림%왕전수%주주%증경명
InP%SHBT%自对准工艺%湿法腐蚀
InP%SHBT%自對準工藝%濕法腐蝕
InP%SHBT%자대준공예%습법부식
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
從InP濕法腐蝕各嚮異性特性實驗齣髮,利用傳統的基極-髮射極自對準工藝和改進的基極-髮射極工藝製作瞭兩種InP/InGaAs SHBT自對準結構,比較瞭兩種自對準工藝對減小基極與髮射極檯麵間距的效果,為製作高頻率特性InP/InGaAs SHBT提供瞭工藝途徑.
종InP습법부식각향이성특성실험출발,이용전통적기겁-발사겁자대준공예화개진적기겁-발사겁공예제작료량충InP/InGaAs SHBT자대준결구,비교료량충자대준공예대감소기겁여발사겁태면간거적효과,위제작고빈솔특성InP/InGaAs SHBT제공료공예도경.
