物理学报
物理學報
물이학보
2006年
9期
4873-4877
,共5页
张现平%马衍伟%高召顺%禹争光%K. Watanabe%闻海虎
張現平%馬衍偉%高召順%禹爭光%K. Watanabe%聞海虎
장현평%마연위%고소순%우쟁광%K. Watanabe%문해호
MgB2带材%C掺杂%SiC掺杂%临界电流性能
MgB2帶材%C摻雜%SiC摻雜%臨界電流性能
MgB2대재%C참잡%SiC참잡%림계전류성능
采用X射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB2带材进行了表征,并采用标准四引线法对样品的临界电流进行了测试. 实验表明,C和SiC掺杂在提高MgB2带材高场下的临界电流密度方面具有显著效果. 在温度为4.2 K、磁场大于9 T条件下,C和SiC掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提高一个数量级以上. 掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用. 实验结果表明,SiC掺杂的MgB2带材之所以具有非常好的高场电流特性,和C掺杂的样品一样, C对B的替代起到十分关键的作用.
採用X射線衍射儀,掃描電鏡,超導量子榦涉儀等儀器對納米C和SiC摻雜的MgB2帶材進行瞭錶徵,併採用標準四引線法對樣品的臨界電流進行瞭測試. 實驗錶明,C和SiC摻雜在提高MgB2帶材高場下的臨界電流密度方麵具有顯著效果. 在溫度為4.2 K、磁場大于9 T條件下,C和SiC摻雜樣品的臨界電流密度與未摻雜樣品相比均提高一箇數量級以上. 摻雜樣品高磁場下良好的臨界電流性能主要歸因于C對B的替代所產生的晶格畸變、位錯等缺陷和跼部成分變化而導緻的有效晶內釘扎作用. 實驗結果錶明,SiC摻雜的MgB2帶材之所以具有非常好的高場電流特性,和C摻雜的樣品一樣, C對B的替代起到十分關鍵的作用.
채용X사선연사의,소묘전경,초도양자간섭의등의기대납미C화SiC참잡적MgB2대재진행료표정,병채용표준사인선법대양품적림계전류진행료측시. 실험표명,C화SiC참잡재제고MgB2대재고장하적림계전류밀도방면구유현저효과. 재온도위4.2 K、자장대우9 T조건하,C화SiC참잡양품적림계전류밀도여미참잡양품상비균제고일개수량급이상. 참잡양품고자장하량호적림계전류성능주요귀인우C대B적체대소산생적정격기변、위착등결함화국부성분변화이도치적유효정내정찰작용. 실험결과표명,SiC참잡적MgB2대재지소이구유비상호적고장전류특성,화C참잡적양품일양, C대B적체대기도십분관건적작용.
