上海理工大学学报
上海理工大學學報
상해리공대학학보
2007年
2期
117-120
,共4页
田东升%张启仁%刘廷禹%陈腾%张秀彦
田東升%張啟仁%劉廷禹%陳騰%張秀彥
전동승%장계인%류정우%진등%장수언
PbWO4晶体%掺杂机制%缺陷簇模型%模拟计算
PbWO4晶體%摻雜機製%缺陷簇模型%模擬計算
PbWO4정체%참잡궤제%결함족모형%모의계산
用缺陷化学方法讨论了Nd3+、Th4+、Sb5+掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3+和Th4+将占据PWO晶体中V2-Pb周围的Pb位,对V2-Pb的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5+在高浓度掺杂时将占据PWO晶体中V2+O周围的W位,并由于占据W位所呈现的一价负电性补偿V2+O的正电性,使孤立的铅空位增多,引起350 nm吸收的减弱和420 nm吸收的增强.
用缺陷化學方法討論瞭Nd3+、Th4+、Sb5+摻雜PbWO4(PWO)中可能存在的雜質缺陷模型,用GULP軟件計算瞭不同雜質缺陷的生成能.計算結果錶明,Nd3+和Th4+將佔據PWO晶體中V2-Pb週圍的Pb位,對V2-Pb的電荷補償抑製瞭PWO晶體中420 nm吸收帶.Sb5+在高濃度摻雜時將佔據PWO晶體中V2+O週圍的W位,併由于佔據W位所呈現的一價負電性補償V2+O的正電性,使孤立的鉛空位增多,引起350 nm吸收的減弱和420 nm吸收的增彊.
용결함화학방법토론료Nd3+、Th4+、Sb5+참잡PbWO4(PWO)중가능존재적잡질결함모형,용GULP연건계산료불동잡질결함적생성능.계산결과표명,Nd3+화Th4+장점거PWO정체중V2-Pb주위적Pb위,대V2-Pb적전하보상억제료PWO정체중420 nm흡수대.Sb5+재고농도참잡시장점거PWO정체중V2+O주위적W위,병유우점거W위소정현적일개부전성보상V2+O적정전성,사고립적연공위증다,인기350 nm흡수적감약화420 nm흡수적증강.
