半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
8期
691-693
,共3页
乔治%李同锴%刘彩池%冀建利%张彦立
喬治%李同鍇%劉綵池%冀建利%張彥立
교치%리동개%류채지%기건리%장언립
快速退火%流动图形缺陷%空洞型缺陷
快速退火%流動圖形缺陷%空洞型缺陷
쾌속퇴화%류동도형결함%공동형결함
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火时间对FPD缺陷密度的影响.结果表明,FPDs缺陷在1 100 ℃以下非常稳定;但是在1 100 ℃以上的温度,尤其在1 200℃对Si片进行RTA处理后,Si片中FPD的密度大大降低,而且随着的退火时间的延长,密度不断下降.
將Si片經Secco腐蝕液腐蝕,用光學顯微鏡和原子力顯微鏡(AFM)對CZ-Si單晶中的流動圖形缺陷(FPD)的形貌、分佈及結構進行瞭研究,對Si片進行瞭濕氧化處理併採用較新的快速退火方法(RTA),在Ar氣氛下對Si片進行熱處理,研究瞭退火溫度和退火時間對FPD缺陷密度的影響.結果錶明,FPDs缺陷在1 100 ℃以下非常穩定;但是在1 100 ℃以上的溫度,尤其在1 200℃對Si片進行RTA處理後,Si片中FPD的密度大大降低,而且隨著的退火時間的延長,密度不斷下降.
장Si편경Secco부식액부식,용광학현미경화원자력현미경(AFM)대CZ-Si단정중적류동도형결함(FPD)적형모、분포급결구진행료연구,대Si편진행료습양화처리병채용교신적쾌속퇴화방법(RTA),재Ar기분하대Si편진행열처리,연구료퇴화온도화퇴화시간대FPD결함밀도적영향.결과표명,FPDs결함재1 100 ℃이하비상은정;단시재1 100 ℃이상적온도,우기재1 200℃대Si편진행RTA처리후,Si편중FPD적밀도대대강저,이차수착적퇴화시간적연장,밀도불단하강.
