半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
6期
573-575,606
,共4页
锗金属氧化物半导体%氧化钛铪%表面预处理%界面层%高k%磁控溅射法
鍺金屬氧化物半導體%氧化鈦鉿%錶麵預處理%界麵層%高k%磁控濺射法
타금속양화물반도체%양화태협%표면예처리%계면층%고k%자공천사법
通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质Ge MOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响.隧穿电子扫描电镜(TEM)、栅电容-电压(C-V)栅极漏电流-电压(J-V)的测量结果表明,湿NO表面预处理能生长高质量的界面层,降低界面态密度,抑制MOS电容的栅极漏电流密度.施加高场应力后,湿NO表面预处理样品的平带漂移及漏电流增加最小,表示器件的可靠性得到有效增强.
通過不同氣體(NO、N2O、NH3)對Ge襯底進行錶麵預處理,生長GeOxNy界麵層,然後採用反應磁控濺射方法生長HfTiO薄膜,製備HfTiO/GeOxNy疊層高k柵介質Ge MOS電容,研究錶麵預處理對界麵層以及界麵層對器件性能的影響.隧穿電子掃描電鏡(TEM)、柵電容-電壓(C-V)柵極漏電流-電壓(J-V)的測量結果錶明,濕NO錶麵預處理能生長高質量的界麵層,降低界麵態密度,抑製MOS電容的柵極漏電流密度.施加高場應力後,濕NO錶麵預處理樣品的平帶漂移及漏電流增加最小,錶示器件的可靠性得到有效增彊.
통과불동기체(NO、N2O、NH3)대Ge츤저진행표면예처리,생장GeOxNy계면층,연후채용반응자공천사방법생장HfTiO박막,제비HfTiO/GeOxNy첩층고k책개질Ge MOS전용,연구표면예처리대계면층이급계면층대기건성능적영향.수천전자소묘전경(TEM)、책전용-전압(C-V)책겁루전류-전압(J-V)적측량결과표명,습NO표면예처리능생장고질량적계면층,강저계면태밀도,억제MOS전용적책겁루전류밀도.시가고장응력후,습NO표면예처리양품적평대표이급루전류증가최소,표시기건적가고성득도유효증강.
