功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2010年
4期
704-708
,共5页
罗子江%周勋%杨再荣%贺业全%何浩%邓朝勇%丁召
囉子江%週勛%楊再榮%賀業全%何浩%鄧朝勇%丁召
라자강%주훈%양재영%하업전%하호%산조용%정소
MBE%RHEED图像%粗糙化%EDS%GaAs表面重构
MBE%RHEED圖像%粗糙化%EDS%GaAs錶麵重構
MBE%RHEED도상%조조화%EDS%GaAs표면중구
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体.
採用分子束外延技術,利用RHEED圖像可研究GaAs錶麵重構方式和生長機製.報道瞭一種新型的分子束外延方法,在RHEED實時鑑控下,利用GaAs(001)基片同質外延GaAs.通過改變生長和退火的時間與溫度(420、500、580℃),結閤RHEED圖像縯變與GaAs錶麵平整度(粗糙化)的聯繫,得到錶麵原子級平整的GaAs樣品.完成生長後對樣品做EDS分析,確定樣品為高純度GaAs.利用這種方法,得到厚度約為4μm砷化鎵晶體.
채용분자속외연기술,이용RHEED도상가연구GaAs표면중구방식화생장궤제.보도료일충신형적분자속외연방법,재RHEED실시감공하,이용GaAs(001)기편동질외연GaAs.통과개변생장화퇴화적시간여온도(420、500、580℃),결합RHEED도상연변여GaAs표면평정도(조조화)적련계,득도표면원자급평정적GaAs양품.완성생장후대양품주EDS분석,학정양품위고순도GaAs.이용저충방법,득도후도약위4μm신화가정체.
