电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2003年
4期
341-343,340
,共4页
孙玲%朱恩%孟凡生%吴春红%费瑞霞
孫玲%硃恩%孟凡生%吳春紅%費瑞霞
손령%주은%맹범생%오춘홍%비서하
压控振荡器%锁相环%GaAs PHEMT工艺
壓控振盪器%鎖相環%GaAs PHEMT工藝
압공진탕기%쇄상배%GaAs PHEMT공예
给出了一个采用0.2 μm GaAs PHEMT工艺设计的全集成差分负阻式LC压控振荡器电路,芯片面积为0.52×0.7 mm2.采用3.3 V正电源供电,测得输出功率约-11.22 dBm,频率调节范围6.058 GHz～9.347 GHz;在自由振荡频率7.2 GHz处,测得的单边带相位噪声约为-82 dBc/Hz@100 kHz.
給齣瞭一箇採用0.2 μm GaAs PHEMT工藝設計的全集成差分負阻式LC壓控振盪器電路,芯片麵積為0.52×0.7 mm2.採用3.3 V正電源供電,測得輸齣功率約-11.22 dBm,頻率調節範圍6.058 GHz～9.347 GHz;在自由振盪頻率7.2 GHz處,測得的單邊帶相位譟聲約為-82 dBc/Hz@100 kHz.
급출료일개채용0.2 μm GaAs PHEMT공예설계적전집성차분부조식LC압공진탕기전로,심편면적위0.52×0.7 mm2.채용3.3 V정전원공전,측득수출공솔약-11.22 dBm,빈솔조절범위6.058 GHz～9.347 GHz;재자유진탕빈솔7.2 GHz처,측득적단변대상위조성약위-82 dBc/Hz@100 kHz.
