光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2004年
11期
1270-1273
,共4页
杨广华%吴春亚%马海英%李娟%周祯华%孟志国%熊绍珍
楊廣華%吳春亞%馬海英%李娟%週禎華%孟誌國%熊紹珍
양엄화%오춘아%마해영%리연%주정화%맹지국%웅소진
有机发光器件(OLED)%倒置型%电致发光%聚合物
有機髮光器件(OLED)%倒置型%電緻髮光%聚閤物
유궤발광기건(OLED)%도치형%전치발광%취합물
提出一种以聚合物MEH-PPV为发光材料,结构为Al/MEH-PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(IPLED).对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH-PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5 nm,最佳的MEH-PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH-PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40.4 cd·m2提高到掺杂后的207.7 cd/m2,其发光峰从未掺杂的624 nm蓝移到掺杂后的592 nm,但其I-Ⅴ特性并没有明显的变化.
提齣一種以聚閤物MEH-PPV為髮光材料,結構為Al/MEH-PPV/CuPC/ITO的倒置型髮光器件(IPLED).對既是空穴傳輸層又是轟擊緩遲層的CuPC厚度以及MEH-PPV的濃度對器件性能影響的分析髮現,在實驗條件下,最佳的CuPC厚度約為3.5 nm,最佳的MEH-PPV濃度約為3‰;採用小分子染料紅莫稀(Rubrene)對聚閤物髮光材料MEH-PPV摻雜髮現,器件的亮度從未摻雜的40.4 cd·m2提高到摻雜後的207.7 cd/m2,其髮光峰從未摻雜的624 nm藍移到摻雜後的592 nm,但其I-Ⅴ特性併沒有明顯的變化.
제출일충이취합물MEH-PPV위발광재료,결구위Al/MEH-PPV/CuPC/ITO적도치형발광기건(IPLED).대기시공혈전수층우시굉격완충층적CuPC후도이급MEH-PPV적농도대기건성능영향적분석발현,재실험조건하,최가적CuPC후도약위3.5 nm,최가적MEH-PPV농도약위3‰;채용소분자염료홍막희(Rubrene)대취합물발광재료MEH-PPV참잡발현,기건적량도종미참잡적40.4 cd·m2제고도참잡후적207.7 cd/m2,기발광봉종미참잡적624 nm람이도참잡후적592 nm,단기I-Ⅴ특성병몰유명현적변화.
