CAJ | 학술논문

随着器件沟道长度的不断缩小,多栅结构(包括FinFET)被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段.量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年.在沟道截面被局限在数纳米量级时,一个更基本的固体物理问题,即能带或电子结构对材料几何尺寸的依赖性,逐渐显现出来并对器件特性产生不可忽略的影响.本文讨论如何从第一原理出发,高效率地计算沟道区的能带结构.在得到载流子的输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上,通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性.考虑到应力对能带结构和散射机制的影响,还研究了载流子迁移率与晶向的关系.
수착기건구도장도적불단축소,다책결구(포괄FinFET)피보편인위시유효개진Ion/Ioff적수단.양자역학효응대MOSFET중재류자분포화수운적영향이피인식화연구다년.재구도절면피국한재수납미량급시,일개경기본적고체물리문제,즉능대혹전자결구대재료궤하척촌적의뢰성,축점현현출래병대기건특성산생불가홀략적영향.본문토론여하종제일원리출발,고효솔지계산구도구적능대결구.재득도재류자적수운삼수(유효질량、천이솔등)적기출상,통과직접구해대개방변계조건적설정악방정이득도기건적전학특성.고필도응력대능대결구화산사궤제적영향,환연구료재류자천이솔여정향적관계.