电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
2期
178-181
,共4页
程知群%傅开红%李进%周云芳
程知群%傅開紅%李進%週雲芳
정지군%부개홍%리진%주운방
低噪声放大器(LNA)%增益可调%宽带%CMOS%多栅管
低譟聲放大器(LNA)%增益可調%寬帶%CMOS%多柵管
저조성방대기(LNA)%증익가조%관대%CMOS%다책관
设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器.电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管(MGTR),提高了电路的线性度;设计基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺.仿真结果显示,在频带3～5 GHz的范围内最高增益17 dB,增益波动小于1.8 dB,输入和输出端口反射系数分别小于-10 dB和-14 dB,噪声系数nf小于3.5 dB,当控制电压Vctrl=1.4 V时,IIP3约为2 dBm,电路功耗为16 mW.
設計瞭一種應用于超寬帶繫統中的可變增益寬帶低譟聲放大器.電路中採用瞭二階巴特沃斯濾波器作為輸入和輸齣匹配電路;採用瞭兩級共源共柵結構實現電路的放大,併通過控製第二級的電流,實現瞭在寬頻帶範圍內增益連續可調;採用瞭多柵管(MGTR),提高瞭電路的線性度;設計基于SMIC 0.18 μm CMOS工藝.倣真結果顯示,在頻帶3～5 GHz的範圍內最高增益17 dB,增益波動小于1.8 dB,輸入和輸齣耑口反射繫數分彆小于-10 dB和-14 dB,譟聲繫數nf小于3.5 dB,噹控製電壓Vctrl=1.4 V時,IIP3約為2 dBm,電路功耗為16 mW.
설계료일충응용우초관대계통중적가변증익관대저조성방대기.전로중채용료이계파특옥사려파기작위수입화수출필배전로;채용료량급공원공책결구실현전로적방대,병통과공제제이급적전류,실현료재관빈대범위내증익련속가조;채용료다책관(MGTR),제고료전로적선성도;설계기우SMIC 0.18 μm CMOS공예.방진결과현시,재빈대3～5 GHz적범위내최고증익17 dB,증익파동소우1.8 dB,수입화수출단구반사계수분별소우-10 dB화-14 dB,조성계수nf소우3.5 dB,당공제전압Vctrl=1.4 V시,IIP3약위2 dBm,전로공모위16 mW.
