科技导报
科技導報
과기도보
SCIENCE & TECHNOLOGY REVIEW
2011年
20期
35-40
,共6页
密度泛函%铜铟镶硒%CdS%ZnO1-xSx
密度汎函%銅銦鑲硒%CdS%ZnO1-xSx
밀도범함%동인양서%CdS%ZnO1-xSx
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿型CdS和ZnO<,1-x>S<.x>(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学特性.计算并分析了闪锌矿型CdS和ZnO<,1-x>S<.x>的复介电函数、光电导率、吸收系数和损失函数.研究结果表明,闪锌矿型CdS和ZnO<,1-x>S<.x>(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均为直接带隙半导体材料.ZnO中一定浓度的硫掺杂,导致带隙宽度变窄.而晶格常数随掺杂基本呈线性变化.就目前制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池普遍使用CdS缓冲层而育,ZnO<,1-x>S<.x>具有与CdS类似的电子结构,但光学特性上高频特性有明显改善.这些特性对于改善电池吸收层表面性能和光吸收特性、制备高效CIGS薄膜太阳能电池非常有利.
採用基于密度汎函理論(DFT)框架下廣義梯度近似(GGA)的PBE平麵波超軟贗勢方法,研究瞭閃鋅礦型CdS和ZnO<,1-x>S<.x>(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的電子結構和光學特性.計算併分析瞭閃鋅礦型CdS和ZnO<,1-x>S<.x>的複介電函數、光電導率、吸收繫數和損失函數.研究結果錶明,閃鋅礦型CdS和ZnO<,1-x>S<.x>(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均為直接帶隙半導體材料.ZnO中一定濃度的硫摻雜,導緻帶隙寬度變窄.而晶格常數隨摻雜基本呈線性變化.就目前製備銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太暘能電池普遍使用CdS緩遲層而育,ZnO<,1-x>S<.x>具有與CdS類似的電子結構,但光學特性上高頻特性有明顯改善.這些特性對于改善電池吸收層錶麵性能和光吸收特性、製備高效CIGS薄膜太暘能電池非常有利.
채용기우밀도범함이론(DFT)광가하엄의제도근사(GGA)적PBE평면파초연안세방법,연구료섬자광형CdS화ZnO<,1-x>S<.x>(x=0,0.25,0.5,0.75,1)적전자결구화광학특성.계산병분석료섬자광형CdS화ZnO<,1-x>S<.x>적복개전함수、광전도솔、흡수계수화손실함수.연구결과표명,섬자광형CdS화ZnO<,1-x>S<.x>(x=0,0.25,0.5,0.75,1)균위직접대극반도체재료.ZnO중일정농도적류참잡,도치대극관도변착.이정격상수수참잡기본정선성변화.취목전제비동인가서(CIGS)박막태양능전지보편사용CdS완충층이육,ZnO<,1-x>S<.x>구유여CdS유사적전자결구,단광학특성상고빈특성유명현개선.저사특성대우개선전지흡수층표면성능화광흡수특성、제비고효CIGS박막태양능전지비상유리.
