稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2012年
3期
400-404
,共5页
李宁%李宝河%冯春%李明华%王立锦%于广华
李寧%李寶河%馮春%李明華%王立錦%于廣華
리저%리보하%풍춘%리명화%왕립금%우엄화
交换弹性%SmCo/Co多层膜%永磁%磁耦合
交換彈性%SmCo/Co多層膜%永磁%磁耦閤
교환탄성%SmCo/Co다층막%영자%자우합
利用磁控溅射的方法,在室温条件的Si基片上制备了[SmCo(25nm)/Co(x)]4/SmCo(25 nm)多层交换弹性纳米晶复合永磁薄膜(Co层厚度x=0~10 nm),经过550 ℃/20 min的真空退火处理使薄膜结晶后,进行磁性测试和磁耦合分析.结果表明:SmCo层厚度固定为25 nm时,调整Co层的厚度,从0至10 nm逐渐增加,矫顽力从2270.3 kA·m-1逐渐降低至1040.5 kA·m-1,同时,饱和磁化强度和剩磁随Co层厚度增加逐渐增加,上升了60%.当加入10 nm的Co层后,多层膜的最大磁能积比125 nm的单层SmCo薄膜增加了46%.另外,与SmCo/Co双层交换弹性薄膜在退磁过程中表现的零场附近的软硬磁双相行为相比,SmCo/Co多层交换弹性薄膜表现出单相反转行为,说明体系中的两种磁性层具有更好的磁耦合.经过磁耦合研究发现,当Co软磁层较薄时,薄膜中磁性颗粒以颗粒间交换耦合为主;当软磁层厚度增加时,颗粒间交换耦合减弱,静磁耦合增强,保证了软硬磁相之间的良好磁耦合作用.Co层的加入有效地提高了薄膜的磁性能.
利用磁控濺射的方法,在室溫條件的Si基片上製備瞭[SmCo(25nm)/Co(x)]4/SmCo(25 nm)多層交換彈性納米晶複閤永磁薄膜(Co層厚度x=0~10 nm),經過550 ℃/20 min的真空退火處理使薄膜結晶後,進行磁性測試和磁耦閤分析.結果錶明:SmCo層厚度固定為25 nm時,調整Co層的厚度,從0至10 nm逐漸增加,矯頑力從2270.3 kA·m-1逐漸降低至1040.5 kA·m-1,同時,飽和磁化彊度和剩磁隨Co層厚度增加逐漸增加,上升瞭60%.噹加入10 nm的Co層後,多層膜的最大磁能積比125 nm的單層SmCo薄膜增加瞭46%.另外,與SmCo/Co雙層交換彈性薄膜在退磁過程中錶現的零場附近的軟硬磁雙相行為相比,SmCo/Co多層交換彈性薄膜錶現齣單相反轉行為,說明體繫中的兩種磁性層具有更好的磁耦閤.經過磁耦閤研究髮現,噹Co軟磁層較薄時,薄膜中磁性顆粒以顆粒間交換耦閤為主;噹軟磁層厚度增加時,顆粒間交換耦閤減弱,靜磁耦閤增彊,保證瞭軟硬磁相之間的良好磁耦閤作用.Co層的加入有效地提高瞭薄膜的磁性能.
이용자공천사적방법,재실온조건적Si기편상제비료[SmCo(25nm)/Co(x)]4/SmCo(25 nm)다층교환탄성납미정복합영자박막(Co층후도x=0~10 nm),경과550 ℃/20 min적진공퇴화처리사박막결정후,진행자성측시화자우합분석.결과표명:SmCo층후도고정위25 nm시,조정Co층적후도,종0지10 nm축점증가,교완력종2270.3 kA·m-1축점강저지1040.5 kA·m-1,동시,포화자화강도화잉자수Co층후도증가축점증가,상승료60%.당가입10 nm적Co층후,다층막적최대자능적비125 nm적단층SmCo박막증가료46%.령외,여SmCo/Co쌍층교환탄성박막재퇴자과정중표현적령장부근적연경자쌍상행위상비,SmCo/Co다층교환탄성박막표현출단상반전행위,설명체계중적량충자성층구유경호적자우합.경과자우합연구발현,당Co연자층교박시,박막중자성과립이과립간교환우합위주;당연자층후도증가시,과립간교환우합감약,정자우합증강,보증료연경자상지간적량호자우합작용.Co층적가입유효지제고료박막적자성능.