大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs 半导体激光器
대광강소수직발산각InGaAs/GaAs/AlGaAs 반도체격광기
Large optical cavity and small vertical divergence angle semiconductor lasers
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2004年 7期 2150-2153 ,共4页

    崔碧峰%李建军%邹德恕%廉鹏%韩金茹%王东凤%杜金玉%刘莹%赵慧敏%沈光地

    최벽봉%리건군%추덕서%렴붕%한금여%왕동봉%두금옥%류형%조혜민%침광지

    半导体激光器%大光腔%隧道再生 半導體激光器%大光腔%隧道再生
    반도체격광기%대광강%수도재생
    提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器,近场光斑宽度达到1μm,较普通半导体激光器提高了一个数量级,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题.采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的AlGaAs隧道结、GaAs/InGaAs应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构,并制备出器件,其垂直发散角为20°,阈值电流密度为277A/cm2,斜率效率在未镀膜时达到O.80W/A.
    제출병실현료신형수도재생우합대광강반도체격광기,근장광반관도체도1μm,교보통반도체격광기제고료일개수량급,유효지해결료보통반도체격광기유우발광면적협착이도치적단면재변성훼배화수직발산각대적문제.채용저압금속유궤물화학기상침적방법생장료이C화Si분별작위참잡제적AlGaAs수도결、GaAs/InGaAs응변양자정유원구화신형반도체격광기외연결구,병제비출기건,기수직발산각위20°,역치전류밀도위277A/cm2,사솔효솔재미도막시체도O.80W/A.
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