低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2006年
3期
212-218
,共7页
吴克%余增强%张解东%王守证%聂瑞娟%王福仁
吳剋%餘增彊%張解東%王守證%聶瑞娟%王福仁
오극%여증강%장해동%왕수증%섭서연%왕복인
MgB2薄膜%电子束蒸发%外退火%超导成相
MgB2薄膜%電子束蒸髮%外退火%超導成相
MgB2박막%전자속증발%외퇴화%초도성상
制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础.我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法,分别在高温区(～900℃)和中温区(～750℃)成功获得了MgB2超导薄膜.改变退火的Ar气压条件,采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上,转变宽度0.3K.Mg/B多层膜的结果尽管Tc稍低(Tc～35K),但薄膜表面更加均匀,且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题.对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响,我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的,在此基础上我们对退火气压效应给出了自己的分析和解释,为今后进一步细致研究退火过程中的薄膜生长机制提供了参考.
製備高質量的MgB2薄膜是實現MgB2超導電子器件應用的前提和基礎.我們用電子束蒸髮B膜和Mg/B多層膜為前驅然後後退火的方法,分彆在高溫區(～900℃)和中溫區(～750℃)成功穫得瞭MgB2超導薄膜.改變退火的Ar氣壓條件,採用B膜前驅退火的樣品Tc可達到38K以上,轉變寬度0.3K.Mg/B多層膜的結果儘管Tc稍低(Tc～35K),但薄膜錶麵更加均勻,且避免瞭高溫下Mg蒸汽汙染的問題.對于兩種前驅退火中觀察到的完全不同的退火氣壓影響,我們認為是與其各自的超導成相過程相聯繫的,在此基礎上我們對退火氣壓效應給齣瞭自己的分析和解釋,為今後進一步細緻研究退火過程中的薄膜生長機製提供瞭參攷.
제비고질량적MgB2박막시실현MgB2초도전자기건응용적전제화기출.아문용전자속증발B막화Mg/B다층막위전구연후후퇴화적방법,분별재고온구(～900℃)화중온구(～750℃)성공획득료MgB2초도박막.개변퇴화적Ar기압조건,채용B막전구퇴화적양품Tc가체도38K이상,전변관도0.3K.Mg/B다층막적결과진관Tc초저(Tc～35K),단박막표면경가균균,차피면료고온하Mg증기오염적문제.대우량충전구퇴화중관찰도적완전불동적퇴화기압영향,아문인위시여기각자적초도성상과정상련계적,재차기출상아문대퇴화기압효응급출료자기적분석화해석,위금후진일보세치연구퇴화과정중적박막생장궤제제공료삼고.
