半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
4期
250-252,263
,共4页
霍文晓%徐晨%杨道虹%赵林林%赵慧%沈光地
霍文曉%徐晨%楊道虹%趙林林%趙慧%瀋光地
곽문효%서신%양도홍%조림림%조혜%침광지
微电子机械系统%低温%直接键合%等离子体
微電子機械繫統%低溫%直接鍵閤%等離子體
미전자궤계계통%저온%직접건합%등리자체
键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合.再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合.硅片键合强度达到了体硅的强度.实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果.
鍵閤前用CF4等離子體對硅片錶麵進行處理,經親水處理後,完成對硅片的預鍵閤.再在N2保護下進行40h 300℃退火,穫得硅片的低溫直接鍵閤.硅片鍵閤彊度達到瞭體硅的彊度.實驗錶明,CF4對硅片的處理不僅可以激活錶麵,而且可以對硅片錶麵進行有效的拋光,大大加彊瞭預鍵閤的效果.
건합전용CF4등리자체대규편표면진행처리,경친수처리후,완성대규편적예건합.재재N2보호하진행40h 300℃퇴화,획득규편적저온직접건합.규편건합강도체도료체규적강도.실험표명,CF4대규편적처리불부가이격활표면,이차가이대규편표면진행유효적포광,대대가강료예건합적효과.
