p+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
p+ -InP/n-InGaAs/n-InP쌍이질결결구적미파반사광전도쇠감법표정급궤리분석
Microwave Photoconductivity Decay(μ-PCD)Characterization and Mechanism of p+ -InP/n-InGaAs/n-InP Double Heterojunction Material
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 11期 1769-1772 ,共4页

    吴小利%王妮丽%张可峰%唐恒敬%黄翌敏%韩冰%李雪%龚海梅

    오소리%왕니려%장가봉%당항경%황익민%한빙%리설%공해매

    铟镓砷%双异质结%微波反射%光电导衰退 銦鎵砷%雙異質結%微波反射%光電導衰退
    인가신%쌍이질결%미파반사%광전도쇠퇴
    采用微波反射光电导衰减法测量了P+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.
    채용미파반사광전도쇠감법측량료P+ -InP/n-InGaAs/n-InP쌍이질결재료적비평형재류자수명분포,통과대비평형재류자농도재P+n결중쇠감과정적분석,건립료재차결구재료중미파반사광전도쇠퇴법측시소자수명여기건삼수지간적련계,병차해석료수명측시치수온도강저이감소적반상행위.
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