人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
3期
684-688
,共5页
氧化钽薄膜%磁控反应溅射%介电性能
氧化鐽薄膜%磁控反應濺射%介電性能
양화단박막%자공반응천사%개전성능
采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构.成份和介电性能的影响.XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响.900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位.
採用直流磁控反應濺射技術製備氧化鐽薄膜,重點研究瞭濺射氣體中Ar:O2比例和退火溫度對樣品的結構.成份和介電性能的影響.XRD、XPS和介電譜分析錶明:Ar:O2比例對薄膜的結晶性能和薄膜中O/Ta原子比有較大影響,但對薄膜的介電性能沒有明顯的影響.900℃退火後,XRD譜中齣現明顯的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介電損耗譜錶明介質的損耗是由微弱的電導產生的,漏電電流在損耗中佔主導地位.
채용직류자공반응천사기술제비양화단박막,중점연구료천사기체중Ar:O2비례화퇴화온도대양품적결구.성빈화개전성능적영향.XRD、XPS화개전보분석표명:Ar:O2비례대박막적결정성능화박막중O/Ta원자비유교대영향,단대박막적개전성능몰유명현적영향.900℃퇴화후,XRD보중출현명현적β-Ta2O5(001)화(200)연사봉;개전손모보표명개질적손모시유미약적전도산생적,루전전류재손모중점주도지위.
