半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
3期
214-216,220
,共4页
硅深槽刻蚀%电感耦合等离子体%Bosch工艺%化学平衡
硅深槽刻蝕%電感耦閤等離子體%Bosch工藝%化學平衡
규심조각식%전감우합등리자체%Bosch공예%화학평형
Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点.常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点.提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法,取得了平滑陡直的刻蚀效果.在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明,在直径100 nim的光刻胶掩蔽Si片上,刻蚀深度为39.2 pm,光刻胶剩余4.8 μm,侧壁表面满足平滑陡直的要求.
Si深槽刻蝕技術在MEMS器件加工中具有重要的作用,現有的刻蝕方法在選擇比和各嚮異性問題上各有優缺點.常用的Bosch工藝採取瞭鈍化與刻蝕交替進行的措施,但具有側壁粗糙的缺點.提齣瞭不同于Bosch工藝的新刻蝕方法,採用刻蝕反應和澱積鈍化反應同時進行併保持化學平衡的方法,取得瞭平滑陡直的刻蝕效果.在電感耦閤等離子體刻蝕機ICP-98A上的實驗結果錶明,在直徑100 nim的光刻膠掩蔽Si片上,刻蝕深度為39.2 pm,光刻膠剩餘4.8 μm,側壁錶麵滿足平滑陡直的要求.
Si심조각식기술재MEMS기건가공중구유중요적작용,현유적각식방법재선택비화각향이성문제상각유우결점.상용적Bosch공예채취료둔화여각식교체진행적조시,단구유측벽조조적결점.제출료불동우Bosch공예적신각식방법,채용각식반응화정적둔화반응동시진행병보지화학평형적방법,취득료평활두직적각식효과.재전감우합등리자체각식궤ICP-98A상적실험결과표명,재직경100 nim적광각효엄폐Si편상,각식심도위39.2 pm,광각효잉여4.8 μm,측벽표면만족평활두직적요구.
