膜科学与技术
膜科學與技術
막과학여기술
MEMBRANE SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
5期
89-93
,共5页
闫晗%柳丽芬%杨凤林%张扬
閆晗%柳麗芬%楊鳳林%張颺
염함%류려분%양봉림%장양
动态膜%微滤%半导体废水%硅回收
動態膜%微濾%半導體廢水%硅迴收
동태막%미려%반도체폐수%규회수
应用动态膜技术回收半导体厂晶片切割废水,研究了动态膜的形成条件及其水处理效果.通过恒压过滤形成动态膜:恒压过滤压差5 kPa,曝气强度10 L/min,过滤高浓度(TS=1 800 mg/L)含硅废水,形成了均匀而阻力较小的动态膜;之后在一定的过滤运行条件下,研究膜过滤低浓度晶片切割废水的运行周期和水处理效果:要处理的废水TS(总固形物)=40mg/L,恒速过滤滤速为0.6 m/d,曝气量为15 L/min.结果表明:该动态膜可保护基膜不被污染,维持较长的过滤周期,稳定运行时间达260~360 h.膜过滤单元中的TS(总固形物)可被浓缩达到1 200 mg/L.动态膜对原水浊度、TS的去除效果很好,产水水质稳定,浊度为0.14NTU,TS几乎为0,SDI15为0.5,电导率为12μS/cm,满足反渗透深度处理的进水要求.当压力上升至14 kPa时,排出浓缩液、用产水冲刷清洗基膜表面的滤饼层,以回收高纯硅,同时基膜经过擦洗后通量可以完全恢复.
應用動態膜技術迴收半導體廠晶片切割廢水,研究瞭動態膜的形成條件及其水處理效果.通過恆壓過濾形成動態膜:恆壓過濾壓差5 kPa,曝氣彊度10 L/min,過濾高濃度(TS=1 800 mg/L)含硅廢水,形成瞭均勻而阻力較小的動態膜;之後在一定的過濾運行條件下,研究膜過濾低濃度晶片切割廢水的運行週期和水處理效果:要處理的廢水TS(總固形物)=40mg/L,恆速過濾濾速為0.6 m/d,曝氣量為15 L/min.結果錶明:該動態膜可保護基膜不被汙染,維持較長的過濾週期,穩定運行時間達260~360 h.膜過濾單元中的TS(總固形物)可被濃縮達到1 200 mg/L.動態膜對原水濁度、TS的去除效果很好,產水水質穩定,濁度為0.14NTU,TS幾乎為0,SDI15為0.5,電導率為12μS/cm,滿足反滲透深度處理的進水要求.噹壓力上升至14 kPa時,排齣濃縮液、用產水遲刷清洗基膜錶麵的濾餅層,以迴收高純硅,同時基膜經過抆洗後通量可以完全恢複.
응용동태막기술회수반도체엄정편절할폐수,연구료동태막적형성조건급기수처리효과.통과항압과려형성동태막:항압과려압차5 kPa,폭기강도10 L/min,과려고농도(TS=1 800 mg/L)함규폐수,형성료균균이조력교소적동태막;지후재일정적과려운행조건하,연구막과려저농도정편절할폐수적운행주기화수처리효과:요처리적폐수TS(총고형물)=40mg/L,항속과려려속위0.6 m/d,폭기량위15 L/min.결과표명:해동태막가보호기막불피오염,유지교장적과려주기,은정운행시간체260~360 h.막과려단원중적TS(총고형물)가피농축체도1 200 mg/L.동태막대원수탁도、TS적거제효과흔호,산수수질은정,탁도위0.14NTU,TS궤호위0,SDI15위0.5,전도솔위12μS/cm,만족반삼투심도처리적진수요구.당압력상승지14 kPa시,배출농축액、용산수충쇄청세기막표면적려병층,이회수고순규,동시기막경과찰세후통량가이완전회복.