计算物理
計算物理
계산물리
CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS
2012年
4期
580-584
,共5页
王凤娟%朱樟明%杨银堂%王宁
王鳳娟%硃樟明%楊銀堂%王寧
왕봉연%주장명%양은당%왕저
三维集成电路%硅通孔%温度模型%最高层芯片%热管理
三維集成電路%硅通孔%溫度模型%最高層芯片%熱管理
삼유집성전로%규통공%온도모형%최고층심편%열관리
针对三维集成电路最高层芯片,引入硅通孔面积比例因子r.,提出了考虑硅通孔的温度解析模型.Matlab分析表明,在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低；r越大,芯片温度越低；当芯片堆叠层数较多且r较小时,温度随着r的减小急剧上升；对于8层的三维集成电路,硅通孔面积比例因子的最佳范围为0.5％～1％.
針對三維集成電路最高層芯片,引入硅通孔麵積比例因子r.,提齣瞭攷慮硅通孔的溫度解析模型.Matlab分析錶明,在芯片堆疊層數及芯片工作狀態相同的情況下,攷慮硅通孔之後的芯片溫度比未攷慮硅通孔時要低；r越大,芯片溫度越低；噹芯片堆疊層數較多且r較小時,溫度隨著r的減小急劇上升；對于8層的三維集成電路,硅通孔麵積比例因子的最佳範圍為0.5％～1％.
침대삼유집성전로최고층심편,인입규통공면적비례인자r.,제출료고필규통공적온도해석모형.Matlab분석표명,재심편퇴첩층수급심편공작상태상동적정황하,고필규통공지후적심편온도비미고필규통공시요저；r월대,심편온도월저；당심편퇴첩층수교다차r교소시,온도수착r적감소급극상승；대우8층적삼유집성전로,규통공면적비례인자적최가범위위0.5％～1％.
