光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
1999年
4期
557-561
,共5页
薛绍林%陈凌冰%谢黎明%赵有源%李富铭%张守都%王浩炳
薛紹林%陳凌冰%謝黎明%趙有源%李富銘%張守都%王浩炳
설소림%진릉빙%사려명%조유원%리부명%장수도%왕호병
Eu3+:Y2SiO5晶体%透射光谱%荧光谱
Eu3+:Y2SiO5晶體%透射光譜%熒光譜
Eu3+:Y2SiO5정체%투사광보%형광보
在室温条件下, 对Eu3+:Y2SiO5晶体的透射光谱和457.9 nm Ar+激光激发荧光谱进行测量和研究. 这些光谱表明, Eu3+离子在Y2SiO5晶体中占据两种最低对称性C1格位. 利用透射光谱和荧光谱对Eu3+离子的最低激发态5D0的两种格位光谱进行了成功分离. 实验发现, 在5D0态两种格位谱的谱宽只有0.1 nm左右, 其峰间隔约为0.18 nm. 另外, 文中还测量了Eu3+离子的基态7FJ(J=0, 1, 2, 3, 4)和较低激发态5D1, 2, 以及5L6的部分精细光谱数据.
在室溫條件下, 對Eu3+:Y2SiO5晶體的透射光譜和457.9 nm Ar+激光激髮熒光譜進行測量和研究. 這些光譜錶明, Eu3+離子在Y2SiO5晶體中佔據兩種最低對稱性C1格位. 利用透射光譜和熒光譜對Eu3+離子的最低激髮態5D0的兩種格位光譜進行瞭成功分離. 實驗髮現, 在5D0態兩種格位譜的譜寬隻有0.1 nm左右, 其峰間隔約為0.18 nm. 另外, 文中還測量瞭Eu3+離子的基態7FJ(J=0, 1, 2, 3, 4)和較低激髮態5D1, 2, 以及5L6的部分精細光譜數據.
재실온조건하, 대Eu3+:Y2SiO5정체적투사광보화457.9 nm Ar+격광격발형광보진행측량화연구. 저사광보표명, Eu3+리자재Y2SiO5정체중점거량충최저대칭성C1격위. 이용투사광보화형광보대Eu3+리자적최저격발태5D0적량충격위광보진행료성공분리. 실험발현, 재5D0태량충격위보적보관지유0.1 nm좌우, 기봉간격약위0.18 nm. 령외, 문중환측량료Eu3+리자적기태7FJ(J=0, 1, 2, 3, 4)화교저격발태5D1, 2, 이급5L6적부분정세광보수거.
