CAJ | 학술논문

用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器.器件在5.3 V偏压时暗电流为1 nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1 V偏压下305 nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023 A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度.为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n～1.05,零偏势垒高度φB0～1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想.
용MOCVD생장적미참잡적n-Al0.3Ga0.7N제비료MSM결구자외탐측기.기건재5.3 V편압시암전류위1 nA,재315nm파장처유두초적절지변,재1 V편압하305 nm봉치파장처탐측기적전류향응솔위0.023 A/W,요진일보제고기건적향응솔,방법지일시우화기건적결구삼수,진량감소차지전겁적관도.위료검험Au/n-Al0.3Ga0.7N초특기접촉특성,전격천MSM우변결,유정향I-V특성곡선계산출이상인자n～1.05,령편세루고도φB0～1.16eV,표명형성적Au/n-Al0.3Ga0.7N초특기결교위이상.