光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2006年
12期
1837-1841
,共5页
蔡纯%刘旭%肖金标%丁东%张明德%孙小菡
蔡純%劉旭%肖金標%丁東%張明德%孫小菡
채순%류욱%초금표%정동%장명덕%손소함
InP/InGaAsP%偏振相关损耗%应力%差分群时延%多量子阱%Stokes模型
InP/InGaAsP%偏振相關損耗%應力%差分群時延%多量子阱%Stokes模型
InP/InGaAsP%편진상관손모%응력%차분군시연%다양자정%Stokes모형
采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的.因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响.
採用Agilent 81910A光子全參量測試儀,首次實驗研究瞭InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料與襯底間因應力而產生的M-Z型光調製器的PDL影響以及由此引起的由差分群時延(Differential Group Delay,DGD)錶徵的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究結果錶明,半導體MQW光調製器的PDL與DGD是一緻的.因此在半導體光器件的製作過程中,應儘可能地減小襯底與波導芯層之間的因殘存應力的存在造成對光器件的高速性能的不利影響.
채용Agilent 81910A광자전삼량측시의,수차실험연구료InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)재료여츤저간인응력이산생적M-Z형광조제기적PDL영향이급유차인기적유차분군시연(Differential Group Delay,DGD)표정적편진모색산(Polarization Mode Dispersion,PMD).연구결과표명,반도체MQW광조제기적PDL여DGD시일치적.인차재반도체광기건적제작과정중,응진가능지감소츤저여파도심층지간적인잔존응력적존재조성대광기건적고속성능적불리영향.
