中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2008年
4期
509-514
,共6页
张军琴%杨银堂%卢艳%娄利飞%赵妍
張軍琴%楊銀堂%盧豔%婁利飛%趙妍
장군금%양은당%로염%루리비%조연
探测器%4H-SiC%紫外探测器%模拟%金属-半导体-金属结构%光谱响应
探測器%4H-SiC%紫外探測器%模擬%金屬-半導體-金屬結構%光譜響應
탐측기%4H-SiC%자외탐측기%모의%금속-반도체-금속결구%광보향응
用MEDICI软件对金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外(UV)探测器的I-V特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响.结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10-13A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级;探测器的光谱响应范围为200～400 nm,在347 nm处响应度达到极大值;增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度;当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而当波长大于峰值波长时随着外延层厚度的增大探测器的响应度有所增大.
用MEDICI軟件對金屬-半導體-金屬(MSM)結構4H-SiC紫外(UV)探測器的I-V特性以及光譜響應等特性進行瞭模擬與分析,併探討瞭金屬電極的寬度、電極間距以及外延層厚度對探測器響應度的影響.結果錶明,室溫下該探測器的暗電流線性密度達到10-13A/μm,且在不同電壓下光電流至少比暗電流大兩箇數量級;探測器的光譜響應範圍為200～400 nm,在347 nm處響應度達到極大值;增大指寬或者減小指間距可以提高探測器的響應度;噹波長小于峰值波長時外延層厚度對探測器的響應度基本沒影響,而噹波長大于峰值波長時隨著外延層厚度的增大探測器的響應度有所增大.
용MEDICI연건대금속-반도체-금속(MSM)결구4H-SiC자외(UV)탐측기적I-V특성이급광보향응등특성진행료모의여분석,병탐토료금속전겁적관도、전겁간거이급외연층후도대탐측기향응도적영향.결과표명,실온하해탐측기적암전류선성밀도체도10-13A/μm,차재불동전압하광전류지소비암전류대량개수량급;탐측기적광보향응범위위200～400 nm,재347 nm처향응도체도겁대치;증대지관혹자감소지간거가이제고탐측기적향응도;당파장소우봉치파장시외연층후도대탐측기적향응도기본몰영향,이당파장대우봉치파장시수착외연층후도적증대탐측기적향응도유소증대.
