P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究
P형GaMnAs/AlGaAs양자정홍외탐측기연구
Research of the P-type GaMnAs/AIGaAs Quantum Well Infrared Photoconductor
  • 万方数据
    激光与红外 격광여홍외
    LASER & INFRARED
    2008年 8期 784-785,795 ,共3页

    毕艳军%郭志友%于敏丽

    필염군%곽지우%우민려

    自旋电子器件%子带间跃迁%GaMnAs/AlGaAs量子阱%红外探测器 自鏇電子器件%子帶間躍遷%GaMnAs/AlGaAs量子阱%紅外探測器
    자선전자기건%자대간약천%GaMnAs/AlGaAs양자정%홍외탐측기
    介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AIGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考.
    개소료P형양자정중공혈자대간약천원리,제출료일충기우철자성반도체적P형GaMnAs/AIGaAs양자정홍외탐측기적설계방안,분석료기건적성능,대우신형양자정홍외탐측기적연제제공일충가능적삼고.
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