半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
9期
766-768
,共3页
垂直结构%PIN 二极管%限幅器%深挖槽
垂直結構%PIN 二極管%限幅器%深挖槽
수직결구%PIN 이겁관%한폭기%심알조
基于垂直结构GaAs PIN二极管的工艺技术开发,在GaAs PHEMT生产线上开发研制了GaAs PIN二极管限幅器单片集成电路.针对不同频段的单片电路采用了不同的材料结构参数设计.工艺中采用先进的深挖槽技术,严格控制横向钻蚀问题,制作出了限幅水平40 mW、最大承受功率5 W的多个频段GaAs限幅器单片电路,成品率达到95%以上.GaAs垂直结构PIN二极管工艺对GaAs PIN二极管大功率开关、限幅器等GaAs MMIC的发展具有重大意义.
基于垂直結構GaAs PIN二極管的工藝技術開髮,在GaAs PHEMT生產線上開髮研製瞭GaAs PIN二極管限幅器單片集成電路.針對不同頻段的單片電路採用瞭不同的材料結構參數設計.工藝中採用先進的深挖槽技術,嚴格控製橫嚮鑽蝕問題,製作齣瞭限幅水平40 mW、最大承受功率5 W的多箇頻段GaAs限幅器單片電路,成品率達到95%以上.GaAs垂直結構PIN二極管工藝對GaAs PIN二極管大功率開關、限幅器等GaAs MMIC的髮展具有重大意義.
기우수직결구GaAs PIN이겁관적공예기술개발,재GaAs PHEMT생산선상개발연제료GaAs PIN이겁관한폭기단편집성전로.침대불동빈단적단편전로채용료불동적재료결구삼수설계.공예중채용선진적심알조기술,엄격공제횡향찬식문제,제작출료한폭수평40 mW、최대승수공솔5 W적다개빈단GaAs한폭기단편전로,성품솔체도95%이상.GaAs수직결구PIN이겁관공예대GaAs PIN이겁관대공솔개관、한폭기등GaAs MMIC적발전구유중대의의.
