微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
4期
511-514,517
,共5页
静态随机存取存储器%静态噪声容限%漏功耗%读写延迟
靜態隨機存取存儲器%靜態譟聲容限%漏功耗%讀寫延遲
정태수궤존취존저기%정태조성용한%루공모%독사연지
比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理权衡的参考.仿真结果表明,组合C8具有最大的SNM,高阈值晶体管Mnl可以有效抑制漏电流.最后,分析了不同组合下的读写延迟时间,并给出了延迟差异的原因.
比較分析瞭8管SRAM單元在不同雙閾值組閤情形下的性能,為不同需求的設計者提供瞭在靜態譟聲容限(SNM)、漏功耗和延遲之間做齣閤理權衡的參攷.倣真結果錶明,組閤C8具有最大的SNM,高閾值晶體管Mnl可以有效抑製漏電流.最後,分析瞭不同組閤下的讀寫延遲時間,併給齣瞭延遲差異的原因.
비교분석료8관SRAM단원재불동쌍역치조합정형하적성능,위불동수구적설계자제공료재정태조성용한(SNM)、루공모화연지지간주출합리권형적삼고.방진결과표명,조합C8구유최대적SNM,고역치정체관Mnl가이유효억제루전류.최후,분석료불동조합하적독사연지시간,병급출료연지차이적원인.
