人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2004年
2期
223-226
,共4页
杨长红%王卓%姜付义%翟剑庞%仪修杰%韩建儒
楊長紅%王卓%薑付義%翟劍龐%儀脩傑%韓建儒
양장홍%왕탁%강부의%적검방%의수걸%한건유
sol-gel法%PNT%铁电薄膜
sol-gel法%PNT%鐵電薄膜
sol-gel법%PNT%철전박막
采用sol-gel法在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT) 薄膜.用X射线衍射技术研究了退火温度对薄膜结构和结晶性的影响.同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能.结果发现在600℃下退火1h的PNT薄膜呈钙钛矿结构;在0～5V范围内,薄膜的漏电流密度小于1.00×10-5A/cm2;在±5V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为2V;在零电压下,时间保持长达105～106s; 在室温100kHz下,其介电常数为31.60,介电损耗为0.12.
採用sol-gel法在P型Si(111)襯底上製備瞭Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT) 薄膜.用X射線衍射技術研究瞭退火溫度對薄膜結構和結晶性的影響.同時還研究瞭薄膜的介電、鐵電和絕緣性能.結果髮現在600℃下退火1h的PNT薄膜呈鈣鈦礦結構;在0～5V範圍內,薄膜的漏電流密度小于1.00×10-5A/cm2;在±5V的偏壓範圍內,C-V記憶窗口寬度為2V;在零電壓下,時間保持長達105～106s; 在室溫100kHz下,其介電常數為31.60,介電損耗為0.12.
채용sol-gel법재P형Si(111)츤저상제비료Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT) 박막.용X사선연사기술연구료퇴화온도대박막결구화결정성적영향.동시환연구료박막적개전、철전화절연성능.결과발현재600℃하퇴화1h적PNT박막정개태광결구;재0～5V범위내,박막적루전류밀도소우1.00×10-5A/cm2;재±5V적편압범위내,C-V기억창구관도위2V;재령전압하,시간보지장체105～106s; 재실온100kHz하,기개전상수위31.60,개전손모위0.12.
