固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
2期
157-159
,共3页
韩德栋%康晋锋%杨红%韩汝琦
韓德棟%康晉鋒%楊紅%韓汝琦
한덕동%강진봉%양홍%한여기
高介电常数栅介质%二氧化铪薄膜%软击穿
高介電常數柵介質%二氧化鉿薄膜%軟擊穿
고개전상수책개질%이양화협박막%연격천
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象.分别利用在栅介质上加恒流应力和恒压应力两种方法研究了HfO2薄膜的击穿特性,实验结果表明,在两种应力方式下HfO2栅介质均发生了软击穿现象,软击穿和硬击穿的机理不同.
研究瞭高K(高介電常數)柵介質HfO2薄膜的製備工藝,製備瞭有效氧化層厚度為2.9 nm的超薄MOS電容.噹柵氧化層很薄時會髮生軟擊穿現象,軟擊穿和通常的硬擊穿是不同的現象.分彆利用在柵介質上加恆流應力和恆壓應力兩種方法研究瞭HfO2薄膜的擊穿特性,實驗結果錶明,在兩種應力方式下HfO2柵介質均髮生瞭軟擊穿現象,軟擊穿和硬擊穿的機理不同.
연구료고K(고개전상수)책개질HfO2박막적제비공예,제비료유효양화층후도위2.9 nm적초박MOS전용.당책양화층흔박시회발생연격천현상,연격천화통상적경격천시불동적현상.분별이용재책개질상가항류응력화항압응력량충방법연구료HfO2박막적격천특성,실험결과표명,재량충응력방식하HfO2책개질균발생료연격천현상,연격천화경격천적궤리불동.
