电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2005年
2期
254-257
,共4页
张亚民%陈吉安%周勇%丁文%王明军%高孝裕%周志敏
張亞民%陳吉安%週勇%丁文%王明軍%高孝裕%週誌敏
장아민%진길안%주용%정문%왕명군%고효유%주지민
巨磁阻抗%FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB%三明治薄膜%微细加工
巨磁阻抗%FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB%三明治薄膜%微細加工
거자조항%FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB%삼명치박막%미세가공
采用射频磁控溅射方法,利用微细加工工艺制备了不同薄膜宽度的三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了薄膜宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响.结果表明,三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应随薄膜宽度的变化具有显著的影响,当FeCuNbCrSiB层、Cu层宽度分别取1.6 mm、0.8 mm时,GMI%达到最大值-21.226 45%.
採用射頻磁控濺射方法,利用微細加工工藝製備瞭不同薄膜寬度的三明治結構FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多層膜,在頻率1～40MHz下研究瞭薄膜寬度對多層膜的縱嚮和橫嚮巨磁阻抗效應的影響.結果錶明,三明治結構多層膜的巨磁阻抗效應隨薄膜寬度的變化具有顯著的影響,噹FeCuNbCrSiB層、Cu層寬度分彆取1.6 mm、0.8 mm時,GMI%達到最大值-21.226 45%.
채용사빈자공천사방법,이용미세가공공예제비료불동박막관도적삼명치결구FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB다층막,재빈솔1～40MHz하연구료박막관도대다층막적종향화횡향거자조항효응적영향.결과표명,삼명치결구다층막적거자조항효응수박막관도적변화구유현저적영향,당FeCuNbCrSiB층、Cu층관도분별취1.6 mm、0.8 mm시,GMI%체도최대치-21.226 45%.
