绝缘材料
絕緣材料
절연재료
INSULATING MATERIALS
2005年
6期
7-10
,共4页
聚酰亚胺二氧化硅%二氧化钛%溶胶-凝胶%纳米%耐热性
聚酰亞胺二氧化硅%二氧化鈦%溶膠-凝膠%納米%耐熱性
취선아알이양화규%이양화태%용효-응효%납미%내열성
利用甲基三乙氧基硅烷和钛酸四丁酯作为杂化过程中制备 SiO2、 TiO2的前体,采用溶胶-凝胶法制得聚酰亚胺 /SiO2/TiO2杂化薄膜. SEM分析显示无机纳米粒子均匀分散在聚酰亚胺基体中,并且随着无机组分含量的增加,纳米粒子尺寸增大,当 TiO2含量为 1wt%、 SiO2含量达到 12wt%时 ,无机粒子尺寸达到 100nm左右. TG分析结果表明引入一定量的无机纳米粒子提高了薄膜的热分解温度.
利用甲基三乙氧基硅烷和鈦痠四丁酯作為雜化過程中製備 SiO2、 TiO2的前體,採用溶膠-凝膠法製得聚酰亞胺 /SiO2/TiO2雜化薄膜. SEM分析顯示無機納米粒子均勻分散在聚酰亞胺基體中,併且隨著無機組分含量的增加,納米粒子呎吋增大,噹 TiO2含量為 1wt%、 SiO2含量達到 12wt%時 ,無機粒子呎吋達到 100nm左右. TG分析結果錶明引入一定量的無機納米粒子提高瞭薄膜的熱分解溫度.
이용갑기삼을양기규완화태산사정지작위잡화과정중제비 SiO2、 TiO2적전체,채용용효-응효법제득취선아알 /SiO2/TiO2잡화박막. SEM분석현시무궤납미입자균균분산재취선아알기체중,병차수착무궤조분함량적증가,납미입자척촌증대,당 TiO2함량위 1wt%、 SiO2함량체도 12wt%시 ,무궤입자척촌체도 100nm좌우. TG분석결과표명인입일정량적무궤납미입자제고료박막적열분해온도.