微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
4期
469-472
,共4页
路香香%罗宏伟%姚若河%林志成
路香香%囉宏偉%姚若河%林誌成
로향향%라굉위%요약하%림지성
ESD应力%扩散电阻%TLP测试%二次击穿
ESD應力%擴散電阻%TLP測試%二次擊穿
ESD응력%확산전조%TLP측시%이차격천
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用.对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析.通过TLP实验对大电流作用下的电阻特性进行验证研究,试验分析了扩散电阻的ESD保护特性;着重讨论了二次击穿区,即热击穿区,的电阻特性,得出电阻的热击穿最先发生在阳极n+-n结,继续加大电压会使阳极一阴极间完全热烧毁的结论.
隨著集成電路的呎吋越來越小,其對靜電放電(ESD)也變得越來越敏感,而電阻在ESD保護電路中可以起到隔離和分壓的作用.對ESD應力下擴散電阻的四箇區域:線性區、飽和區、雪崩倍增和負微分電阻區、二次擊穿區的模型進行瞭分析.通過TLP實驗對大電流作用下的電阻特性進行驗證研究,試驗分析瞭擴散電阻的ESD保護特性;著重討論瞭二次擊穿區,即熱擊穿區,的電阻特性,得齣電阻的熱擊穿最先髮生在暘極n+-n結,繼續加大電壓會使暘極一陰極間完全熱燒燬的結論.
수착집성전로적척촌월래월소,기대정전방전(ESD)야변득월래월민감,이전조재ESD보호전로중가이기도격리화분압적작용.대ESD응력하확산전조적사개구역:선성구、포화구、설붕배증화부미분전조구、이차격천구적모형진행료분석.통과TLP실험대대전류작용하적전조특성진행험증연구,시험분석료확산전조적ESD보호특성;착중토론료이차격천구,즉열격천구,적전조특성,득출전조적열격천최선발생재양겁n+-n결,계속가대전압회사양겁일음겁간완전열소훼적결론.