分子科学学报
分子科學學報
분자과학학보
JOURNAL OF MOLECULAR SCIENCE
2012年
3期
221-226
,共6页
邹祥宇%谢宏伟%翟玉春%郎晓川
鄒祥宇%謝宏偉%翟玉春%郎曉川
추상우%사굉위%적옥춘%랑효천
NaF-KC1%预电解净化%电导率%电精炼%多晶硅
NaF-KC1%預電解淨化%電導率%電精煉%多晶硅
NaF-KC1%예전해정화%전도솔%전정련%다정규
采用预电解净化方法,研究了温度、电压、时间等对NaF-KC1熔盐净化的影响,结果发现温度800℃,预电解电压2.5V,预电解时间4h为熔盐净化合适条件.采用四电极法测量了800℃,净化前后NaF-KCl混合熔盐的电导率,计算了活化能,结果发现熔盐净化后电导率提高.进行了恒电位电精炼法制备多晶硅,采用XRD,SEM,EDS和ICP-ms对熔盐净化前后获得的多晶硅进行了表征,发现熔盐净化使多晶硅产品纯度明显改善,纯度达到99.99％.
採用預電解淨化方法,研究瞭溫度、電壓、時間等對NaF-KC1鎔鹽淨化的影響,結果髮現溫度800℃,預電解電壓2.5V,預電解時間4h為鎔鹽淨化閤適條件.採用四電極法測量瞭800℃,淨化前後NaF-KCl混閤鎔鹽的電導率,計算瞭活化能,結果髮現鎔鹽淨化後電導率提高.進行瞭恆電位電精煉法製備多晶硅,採用XRD,SEM,EDS和ICP-ms對鎔鹽淨化前後穫得的多晶硅進行瞭錶徵,髮現鎔鹽淨化使多晶硅產品純度明顯改善,純度達到99.99％.
채용예전해정화방법,연구료온도、전압、시간등대NaF-KC1용염정화적영향,결과발현온도800℃,예전해전압2.5V,예전해시간4h위용염정화합괄조건.채용사전겁법측량료800℃,정화전후NaF-KCl혼합용염적전도솔,계산료활화능,결과발현용염정화후전도솔제고.진행료항전위전정련법제비다정규,채용XRD,SEM,EDS화ICP-ms대용염정화전후획득적다정규진행료표정,발현용염정화사다정규산품순도명현개선,순도체도99.99％.
