半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
10期
11-14
,共4页
李萍%刘诗嘉%陈江峰%庄春泉%黄杨程%张燕%龚海梅
李萍%劉詩嘉%陳江峰%莊春泉%黃楊程%張燕%龔海梅
리평%류시가%진강봉%장춘천%황양정%장연%공해매
俄歇电子能谱%X射线光电子能谱%欧姆接触%界面
俄歇電子能譜%X射線光電子能譜%歐姆接觸%界麵
아헐전자능보%X사선광전자능보%구모접촉%계면
研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性.在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×1 0-5 Ω·cm 2.利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触界面的冶金性质.实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面,退火后可与Au形成合金.退火后,Zn的扩散可以在p-InP表面形成重掺杂层,从而降低接触势垒高度,减小势垒宽度,有助于欧姆接触的形成;在接触与p-InP的界面产生一个P聚集区,同时Au与InP反应生成Au2P3,其P的2p3/2电子的结合能约为129.2 eV.
研究瞭離子束濺射製備的Au/Zn/Au/p-InP歐姆接觸的界麵特性.在480℃退火15s比接觸電阻達到最小,為1.4×1 0-5 Ω·cm 2.利用俄歇電子能譜(AES)和X射線光電子能譜(XPS)研究瞭接觸界麵的冶金性質.實驗結果錶明,在室溫下InP中的In就可以擴散到接觸的錶麵,退火後可與Au形成閤金.退火後,Zn的擴散可以在p-InP錶麵形成重摻雜層,從而降低接觸勢壘高度,減小勢壘寬度,有助于歐姆接觸的形成;在接觸與p-InP的界麵產生一箇P聚集區,同時Au與InP反應生成Au2P3,其P的2p3/2電子的結閤能約為129.2 eV.
연구료리자속천사제비적Au/Zn/Au/p-InP구모접촉적계면특성.재480℃퇴화15s비접촉전조체도최소,위1.4×1 0-5 Ω·cm 2.이용아헐전자능보(AES)화X사선광전자능보(XPS)연구료접촉계면적야금성질.실험결과표명,재실온하InP중적In취가이확산도접촉적표면,퇴화후가여Au형성합금.퇴화후,Zn적확산가이재p-InP표면형성중참잡층,종이강저접촉세루고도,감소세루관도,유조우구모접촉적형성;재접촉여p-InP적계면산생일개P취집구,동시Au여InP반응생성Au2P3,기P적2p3/2전자적결합능약위129.2 eV.
