陕西科技大学学报（自然科学版）
陝西科技大學學報（自然科學版）
협서과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY
2006年
2期
50-53
,共4页
殷立雄%王芬%杨茂举%黄艳
慇立雄%王芬%楊茂舉%黃豔
은립웅%왕분%양무거%황염
GaN薄膜%Ga2O3%氨气%管式炉
GaN薄膜%Ga2O3%氨氣%管式爐
GaN박막%Ga2O3%안기%관식로
采用Ga2O3与NH3在管式电炉中于高温常压下进行反应,并在硅基片上沉积GaN薄膜,研究了各种工艺参数如反应温度、NH3的流量、硅基片反应前后处理等因素对沉积GaN薄膜的影响,并通过SEM和AFM对生成物进行了分析.实验结果表明,在1 125℃,NH3流量为26～30 L/h时可在Si基片<111>面上沉积生成GaN薄膜.
採用Ga2O3與NH3在管式電爐中于高溫常壓下進行反應,併在硅基片上沉積GaN薄膜,研究瞭各種工藝參數如反應溫度、NH3的流量、硅基片反應前後處理等因素對沉積GaN薄膜的影響,併通過SEM和AFM對生成物進行瞭分析.實驗結果錶明,在1 125℃,NH3流量為26～30 L/h時可在Si基片<111>麵上沉積生成GaN薄膜.
채용Ga2O3여NH3재관식전로중우고온상압하진행반응,병재규기편상침적GaN박막,연구료각충공예삼수여반응온도、NH3적류량、규기편반응전후처리등인소대침적GaN박막적영향,병통과SEM화AFM대생성물진행료분석.실험결과표명,재1 125℃,NH3류량위26～30 L/h시가재Si기편<111>면상침적생성GaN박막.
