半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
7期
503-505
,共3页
GaAs晶体%VB-GaAs技术%硅掺杂
GaAs晶體%VB-GaAs技術%硅摻雜
GaAs정체%VB-GaAs기술%규참잡
结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.
結閤VB-GaAs晶體生長工藝,對工藝中摻Si濃度的控製進行瞭探討,提齣瞭摻雜計算的脩正因子.針對不同濃度要求的材料,通過工藝控製可提供滿足要求的優質材料.
결합VB-GaAs정체생장공예,대공예중참Si농도적공제진행료탐토,제출료참잡계산적수정인자.침대불동농도요구적재료,통과공예공제가제공만족요구적우질재료.
