电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
2期
465-468
,共4页
宋睿丰%廖怀林%黄如%王阳元
宋睿豐%廖懷林%黃如%王暘元
송예봉%료부림%황여%왕양원
射频集成电路%中和化技术%低功耗%低噪声放大器
射頻集成電路%中和化技術%低功耗%低譟聲放大器
사빈집성전로%중화화기술%저공모%저조성방대기
以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB.
以設計低電壓LNA電路為目的,提齣瞭一種採用關態MOSFET中和共源放大器輸入級柵漏寄生電容Cgd的CMOS差分低譟聲放大器結構.基于該技術,採用0.35μmCMOS工藝設計瞭一種工作在5.8GHz的低譟聲放大器.結果錶明,在攷慮瞭各種寄生效應的情況下,該低譟聲放大器可以在0.75V的電源電壓下工作,其功耗僅為2.45mW.在5.8GHz工作頻率下:該放大器的譟聲繫數為2.9dB,正嚮增益S21為5.8dB,反嚮隔離度S12為-30dB,S11為-13.5dB.
이설계저전압LNA전로위목적,제출료일충채용관태MOSFET중화공원방대기수입급책루기생전용Cgd적CMOS차분저조성방대기결구.기우해기술,채용0.35μmCMOS공예설계료일충공작재5.8GHz적저조성방대기.결과표명,재고필료각충기생효응적정황하,해저조성방대기가이재0.75V적전원전압하공작,기공모부위2.45mW.재5.8GHz공작빈솔하:해방대기적조성계수위2.9dB,정향증익S21위5.8dB,반향격리도S12위-30dB,S11위-13.5dB.
