电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
12期
66-69
,共4页
苏朝辉%张婷%王继鹏%张盈%张伟风
囌朝輝%張婷%王繼鵬%張盈%張偉風
소조휘%장정%왕계붕%장영%장위풍
电阻开关%交流阻抗谱%肖特基发射%空间电荷限制电流%电子陷阱
電阻開關%交流阻抗譜%肖特基髮射%空間電荷限製電流%電子陷阱
전조개관%교류조항보%초특기발사%공간전하한제전류%전자함정
采用sol-gel法制作了28 nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能.结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换.最大的电阻变化率约为10 309.对I-V特性的分析,发现在高阻态时,有空间电荷限制电流机制(SCLC)和肖特基势垒导电机制存在.应用在高场区有非对称电子陷阱中心的空间电荷限制电流理论,解释了这种电阻开关现象.
採用sol-gel法製作瞭28 nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治結構的器件,併研究其物理性能.結果顯示:室溫下,用直流電壓可以使薄膜的電阻在高低阻態間進行轉換.最大的電阻變化率約為10 309.對I-V特性的分析,髮現在高阻態時,有空間電荷限製電流機製(SCLC)和肖特基勢壘導電機製存在.應用在高場區有非對稱電子陷阱中心的空間電荷限製電流理論,解釋瞭這種電阻開關現象.
채용sol-gel법제작료28 nm후적SrTiO3박막화Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)삼명치결구적기건,병연구기물이성능.결과현시:실온하,용직류전압가이사박막적전조재고저조태간진행전환.최대적전조변화솔약위10 309.대I-V특성적분석,발현재고조태시,유공간전하한제전류궤제(SCLC)화초특기세루도전궤제존재.응용재고장구유비대칭전자함정중심적공간전하한제전류이론,해석료저충전조개관현상.
