临沂师范学院学报
臨沂師範學院學報
림기사범학원학보
JOURNAL OF LINYI TEACHERS' COLLEGE
2009年
3期
38-41
,共4页
秦希峰%季燕菊%王凤翔%付刚%赵优美
秦希峰%季燕菊%王鳳翔%付剛%趙優美
진희봉%계연국%왕봉상%부강%조우미
离子注入%卢瑟福背散射技术%横向离散
離子註入%盧瑟福揹散射技術%橫嚮離散
리자주입%로슬복배산사기술%횡향리산
利用离子注入技术掺杂制作光电子器件时,需要了解离子注入材料的射程分布、射程离散和横向离散.介绍了用400keV能量的Nd离子分别垂直和倾斜60°角注入两块相同的Si晶体样品中,利用卢瑟福背散射技术研究了400 keV,5×1015 ions/cm2 Nd离子注入Si晶体的横向射程离散.测出的实验值和TRIM'98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98模拟计算的理论值能较好地符合.
利用離子註入技術摻雜製作光電子器件時,需要瞭解離子註入材料的射程分佈、射程離散和橫嚮離散.介紹瞭用400keV能量的Nd離子分彆垂直和傾斜60°角註入兩塊相同的Si晶體樣品中,利用盧瑟福揹散射技術研究瞭400 keV,5×1015 ions/cm2 Nd離子註入Si晶體的橫嚮射程離散.測齣的實驗值和TRIM'98得到的理論模擬值進行瞭比較,髮現實驗值跟TRIM'98模擬計算的理論值能較好地符閤.
이용리자주입기술참잡제작광전자기건시,수요료해리자주입재료적사정분포、사정리산화횡향리산.개소료용400keV능량적Nd리자분별수직화경사60°각주입량괴상동적Si정체양품중,이용로슬복배산사기술연구료400 keV,5×1015 ions/cm2 Nd리자주입Si정체적횡향사정리산.측출적실험치화TRIM'98득도적이론모의치진행료비교,발현실험치근TRIM'98모의계산적이론치능교호지부합.
