宁夏大学学报（自然科学版）
寧夏大學學報（自然科學版）
저하대학학보（자연과학판）
2010年
3期
247-252
,共6页
三元混合膜%纳米器件%相分离%电子传递
三元混閤膜%納米器件%相分離%電子傳遞
삼원혼합막%납미기건%상분리%전자전체
采用共吸附法制备了两种三元混合膜,并通过扫描隧道显微镜(STM)、导电原子力(C-AFM)等技术对混合膜表面结构及电子传递性质进行了研究.三元混合膜一种由戊硫醇(C5T)、癸硫醇(C10T)和十六烷基硫醇(C16T)组成,另一种由C5T, C10T和连噻吩二硫醇(BT)组成.在烷基硫醇混合膜中,C10T和C16T插入C5T形成的基底中,且二者出现在组装膜的缺陷处或畴界处,3种分子的导电能力为C5T＞ C10T ＞ C16T.在含BT的混合膜中,BT出现在组装膜的内部,C10T则出现在组装膜的缺陷处以及BT分子周围,3种分子的导电能力为BT＞ C5T＞ C10T.两种三元混合膜均产生相分离现象,降低组装液中成膜分子的浓度后,相分离的现象有所减轻.由此,可通过调节成膜分子的种类及其在组装液中的浓度,控制其在膜中的含量和表面结构,从而为电子传递提供3种可选择的通路.
採用共吸附法製備瞭兩種三元混閤膜,併通過掃描隧道顯微鏡(STM)、導電原子力(C-AFM)等技術對混閤膜錶麵結構及電子傳遞性質進行瞭研究.三元混閤膜一種由戊硫醇(C5T)、癸硫醇(C10T)和十六烷基硫醇(C16T)組成,另一種由C5T, C10T和連噻吩二硫醇(BT)組成.在烷基硫醇混閤膜中,C10T和C16T插入C5T形成的基底中,且二者齣現在組裝膜的缺陷處或疇界處,3種分子的導電能力為C5T＞ C10T ＞ C16T.在含BT的混閤膜中,BT齣現在組裝膜的內部,C10T則齣現在組裝膜的缺陷處以及BT分子週圍,3種分子的導電能力為BT＞ C5T＞ C10T.兩種三元混閤膜均產生相分離現象,降低組裝液中成膜分子的濃度後,相分離的現象有所減輕.由此,可通過調節成膜分子的種類及其在組裝液中的濃度,控製其在膜中的含量和錶麵結構,從而為電子傳遞提供3種可選擇的通路.
채용공흡부법제비료량충삼원혼합막,병통과소묘수도현미경(STM)、도전원자력(C-AFM)등기술대혼합막표면결구급전자전체성질진행료연구.삼원혼합막일충유무류순(C5T)、계류순(C10T)화십륙완기류순(C16T)조성,령일충유C5T, C10T화련새분이류순(BT)조성.재완기류순혼합막중,C10T화C16T삽입C5T형성적기저중,차이자출현재조장막적결함처혹주계처,3충분자적도전능력위C5T＞ C10T ＞ C16T.재함BT적혼합막중,BT출현재조장막적내부,C10T칙출현재조장막적결함처이급BT분자주위,3충분자적도전능력위BT＞ C5T＞ C10T.량충삼원혼합막균산생상분리현상,강저조장액중성막분자적농도후,상분리적현상유소감경.유차,가통과조절성막분자적충류급기재조장액중적농도,공제기재막중적함량화표면결구,종이위전자전체제공3충가선택적통로.
