固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
1期
52-55
,共4页
蒲红斌%陈治明%封先锋%李留臣
蒲紅斌%陳治明%封先鋒%李留臣
포홍빈%진치명%봉선봉%리류신
圆形传输线法%欧姆接触%接触电阻率
圓形傳輸線法%歐姆接觸%接觸電阻率
원형전수선법%구모접촉%접촉전조솔
采用溅射法在液相外延3C-SiC上制备Ni电极,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响,实验表明对于Ni/n-SiC金半接触,经过800～1 000°C高温退火5分钟后,肖特基整流特性退化为欧姆接触,表现出良好的欧姆接触特性,且随退火温度的提高,接触电阻进一步下降,1 000°C退火后,可获得最低的接触电阻为5.0×10-5 Ω·cm2.
採用濺射法在液相外延3C-SiC上製備Ni電極,併利用圓形傳輸線法研究瞭退火溫度對歐姆接觸特性的影響,實驗錶明對于Ni/n-SiC金半接觸,經過800～1 000°C高溫退火5分鐘後,肖特基整流特性退化為歐姆接觸,錶現齣良好的歐姆接觸特性,且隨退火溫度的提高,接觸電阻進一步下降,1 000°C退火後,可穫得最低的接觸電阻為5.0×10-5 Ω·cm2.
채용천사법재액상외연3C-SiC상제비Ni전겁,병이용원형전수선법연구료퇴화온도대구모접촉특성적영향,실험표명대우Ni/n-SiC금반접촉,경과800～1 000°C고온퇴화5분종후,초특기정류특성퇴화위구모접촉,표현출량호적구모접촉특성,차수퇴화온도적제고,접촉전조진일보하강,1 000°C퇴화후,가획득최저적접촉전조위5.0×10-5 Ω·cm2.
